MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識(shí)別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙！

MOS管

MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。其特性，輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性。

IGBT管

IGBT中文名絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是MOS管與晶體三極管的組合，MOS是作為輸入管，而晶體三極管作為輸出管。于是三極管的功率做的挺大，因此兩者組合后即得到了MOS管的優(yōu)點(diǎn)又獲得了晶體三極管的優(yōu)點(diǎn)。

綜上所述的兩種晶體管，是目前電子設(shè)備使用頻率很高的電子元器件，兩者在外形及靜態(tài)參數(shù)極其相似，某些電子產(chǎn)品是存在技術(shù)壟斷， 在電路中有時(shí)它們的型號(hào)是被擦掉的，截止目前，它們?cè)诿�名�?biāo)準(zhǔn)及型號(hào)統(tǒng)又沒(méi)有統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，而外型及管腳的排列相似，根本無(wú)規(guī)律可循，成為維修過(guò)程中的攔路虎，如何區(qū)分和判斷成為必要手段。

MOS管和IGBT管的辨別

帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管的識(shí)別

帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管它們的柵極位置一樣，IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對(duì)應(yīng)，IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對(duì)應(yīng)，對(duì)它們的好壞判斷及及區(qū)分可以用動(dòng)靜態(tài)測(cè)量方法來(lái)完成。

一、靜態(tài)測(cè)量判斷MOS管和IGBT管的好壞

先將兩個(gè)管子的管腳短路放掉靜電，MOS管的D極與S極之間有個(gè)PN接，正向?qū)�通反向截止，于是有Rgd＝Rgs＝Rds＝無(wú)窮大，Rsd＝幾千歐。IGBT管的G極到c、e極的電阻應(yīng)為無(wú)窮大，即Rgc＝Rge＝無(wú)窮大，而IGBT管的之間有阻尼二極管的存在，因此具有單向?qū)щ姺聪蚪刂固匦裕�即Rce＝無(wú)窮大，Rec＝幾千歐。從這里只能用萬(wàn)用表的電阻檔判斷出管子的好壞，卻區(qū)分不出是那種管子。測(cè)量得阻值很小，則說(shuō)明管子被擊穿，測(cè)量阻值很大，說(shuō)明管子內(nèi)部斷路。

動(dòng)態(tài)測(cè)量區(qū)分MOS管和IGBT管

先用萬(wàn)用表給管子的柵極施加電壓，是場(chǎng)效應(yīng)管建立起溝道，然后測(cè)量D、S及c、e之間的阻值，根據(jù)阻值的差異來(lái)區(qū)分MOS管和IGBT管。

用萬(wàn)用表的電阻檔測(cè)量?jī)蓚�(gè)管子的D、S及c、e之間的電阻，由于場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)建立溝道，Rds＝Rsd≈0，而Rce之間呈現(xiàn)電阻Rce，晶體三極管處于放大狀態(tài)的導(dǎo)通電阻，Rec為內(nèi)部阻尼二極管的導(dǎo)通電阻，兩者均為幾千歐。因此根據(jù)測(cè)量可知，兩個(gè)管子的導(dǎo)通程度不一樣，MOS管的D、S之間電阻值是遠(yuǎn)小于IGBT管c、e之間的電阻值，于是可以分辨出MOS與IGBT管。