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會(huì)員注冊(cè)多數(shù)現(xiàn)代電子器件是由性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的半導(dǎo)體材料制造而成的。常用的半導(dǎo)體材料有：元素半導(dǎo)體，如硅、鍺等；化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵等；以及摻雜或制成其它化合物的半導(dǎo)體材料。
2.本征半導(dǎo)體
本征半導(dǎo)體是一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。半導(dǎo)體共價(jià)鍵中的價(jià)電子并不像絕緣體中束縛的那樣緊，在熱激發(fā)下會(huì)脫離共價(jià)鍵而成為自由電子。在半導(dǎo)體內(nèi)，自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)的。
3.雜質(zhì)半導(dǎo)體
在本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入一定數(shù)量的雜質(zhì)，就會(huì)改變半導(dǎo)體的性能。
(1）P型半導(dǎo)體:在硅（或鍺）的晶體內(nèi)摻入少量的雜質(zhì)，如硼（或銦）等，就構(gòu)成了P型半導(dǎo)體。摻入三價(jià)元素，形成一個(gè)空穴。相鄰共價(jià)鍵上的電子受熱激發(fā)移動(dòng)填補(bǔ)到這個(gè)空穴中，硼原子成為負(fù)離子。 P型半導(dǎo)體中的空穴成為多數(shù)載流子——多子，受熱激發(fā)而脫離共價(jià)鍵的電子為少子。
(2）N型半導(dǎo)體:在硅（或鍺）的晶體內(nèi)摻入少量的雜質(zhì)，如磷（或砷、銻）等，就構(gòu)成了N型半導(dǎo)體。摻入五價(jià)元素，形成一個(gè)自由電子。N型半導(dǎo)體中的電子成為多數(shù)載流子——多子，而空穴為少子。
要理解兩種不同類型的半導(dǎo)體是如何形成的，有什么區(qū)別。
4. PN結(jié)的形成
將兩種不同類型的半導(dǎo)體進(jìn)行結(jié)合，在其結(jié)合面上就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差別。電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散。
空間電荷區(qū)又叫耗盡層，具有非常高的電阻率。
PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?即在PN結(jié)上加正向電壓時(shí)，PN結(jié)電阻很低，正向電流較大。（PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)）加反向電壓時(shí)，PN結(jié)電阻很高，反向電流很小。（PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)）
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