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會員注冊多數(shù)現(xiàn)代電子器件是由性能介于導體與絕緣體之間的半導體材料制造而成的。常用的半導體材料有：元素半導體，如硅、鍺等；化合物半導體，如砷化鎵等；以及摻雜或制成其它化合物的半導體材料。
2.本征半導體
本征半導體是一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導體晶體。半導體共價鍵中的價電子并不像絕緣體中束縛的那樣緊，在熱激發(fā)下會脫離共價鍵而成為自由電子。在半導體內(nèi)，自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)的。
3.雜質(zhì)半導體
在本征半導體內(nèi)摻入一定數(shù)量的雜質(zhì)，就會改變半導體的性能。
(1）P型半導體:在硅（或鍺）的晶體內(nèi)摻入少量的雜質(zhì)，如硼（或銦）等，就構(gòu)成了P型半導體。摻入三價元素，形成一個空穴。相鄰共價鍵上的電子受熱激發(fā)移動填補到這個空穴中，硼原子成為負離子。 P型半導體中的空穴成為多數(shù)載流子——多子，受熱激發(fā)而脫離共價鍵的電子為少子。
(2）N型半導體:在硅（或鍺）的晶體內(nèi)摻入少量的雜質(zhì)，如磷（或砷、銻）等，就構(gòu)成了N型半導體。摻入五價元素，形成一個自由電子。N型半導體中的電子成為多數(shù)載流子——多子，而空穴為少子。
要理解兩種不同類型的半導體是如何形成的，有什么區(qū)別。
4. PN結(jié)的形成
將兩種不同類型的半導體進行結(jié)合，在其結(jié)合面上就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差別。電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散。
空間電荷區(qū)又叫耗盡層，具有非常高的電阻率。
PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?即在PN結(jié)上加正向電壓時，PN結(jié)電阻很低，正向電流較大。（PN結(jié)處于導通狀態(tài)）加反向電壓時，PN結(jié)電阻很高，反向電流很小。（PN結(jié)處于截止狀態(tài)）
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