可控硅做的電爐功率調節(jié)電路圖如下圖所示。調節(jié)單刀四擲開關SA的檔位，可以改變電容C1的充放電速率。利用C1兩端交流電壓通過雙向觸發(fā)二極管VD3去觸發(fā)雙向晶閘管VS導通、并改變了VS的導通角，使負載RL兩端交流電壓隨之發(fā)生變化。

兩只發(fā)光二極管VD2、VD5是指示燈，它們的亮度會隨著檔位的調節(jié)反比例變化，輸出電壓最高時（功率最大）VD2最亮，輸出電壓最低時（功率最�。￢D5最亮。R5是限流電阻，用來保護可控硅。電阻R7、電容C2為吸收回路，用以濾除電磁干擾脈沖。

元器件選擇

電容C1選用0.1uF/160V，C2選0.022uF/400V(滌綸電容器)。
電阻R1為56kΩ、1/2W，R2為39kΩ、1/4W，R3為27kΩ、1/4W，R4為2kΩ、1/4W，R5為47Ω、1/2W，R6為100kΩ、1/2W(可變)，R7為300Ω、1/4W，R8為43kΩ、1/2W。
二極管VD1、VD4用1N4007。兩只發(fā)光二極管用普通型即可。雙向觸發(fā)二極管VD3為DB3或VR60。雙向可控硅根據(jù)電爐的功率來選擇。