IGBT用于開關(guān)許多產(chǎn)品中的電源，這些產(chǎn)品包括變頻驅(qū)動器(VFD)、伺服驅(qū)動器、電動汽車、巴士和卡車、火車、醫(yī)療設(shè)備（X光和MRI）、空調(diào)甚至一些專業(yè)音頻系統(tǒng)等。這些產(chǎn)品都屬于“大功率”應(yīng)用，它們很容易被視為電氣產(chǎn)品而非電子產(chǎn)品，因此人們會認為它們并不容易受損。然而，有很多不同的失效機制會導致IGBT損壞，除非在設(shè)計過程中格外用心，確保器件的正確操作。

與所有器件一樣，運行環(huán)境（溫度、熱沖擊、熱和功率循環(huán)以及振動）可造成IGBT失效。ESD（靜電放電）也是一個失效因素。由于IGBT和門極驅(qū)動器往往由機柜安裝人員而非電子專業(yè)人員進行安裝，所以毫不出奇非常多的失效是由人為操作不當引起。要防止IGBT出現(xiàn)此類失效，主要在于嚴格遵循安裝指南，并確保器件在規(guī)定的操作條件下工作。

過流是另一個潛在的失效原因。針對此問題有集成的解決方案可供使用，但也有簡單、低成本的解決方案，即在交流輸出端使用電流傳感器進行測量來實現(xiàn)，而大多數(shù)客戶更愿意選擇低成本的方案。

其他的主要失效機制有短路、di/dt過高、dv/dt過高以及門極-發(fā)射極和集電極-發(fā)射極過壓。行業(yè)所需要的就是針對這些失效機制的保護功能，當功率水平達到100 kW且系統(tǒng)成本較為昂貴時尤為需要，因此Power Integrations等IGBT驅(qū)動器廠商已在其產(chǎn)品中集成了創(chuàng)新的可靠保護機制，能夠解決這些問題，從而為IGBT模塊提供強有力的保護。

短路

一種常用的檢測短路從而在IGBT損壞之前將其關(guān)斷的方法是，使用一個集成了退飽和保護功能的光耦I(lǐng)C。遺憾的是，這種方法有兩個劣勢。第一，具有退飽和保護功能的光耦I(lǐng)C還要求采用高壓二極管，而這種二極管不僅成本昂貴，而且損耗也高。第二，也許更重要的是，所需的退飽和監(jiān)控電子元件通常對EMI或Vce電壓尖峰很敏感。這可以導致短路保護誤動作，導致IGBT意外關(guān)斷。

而Power Integrations的IGBT驅(qū)動器則采用了不同的方法。他們選用ASIC芯片組以減少元件數(shù)量并縮小尺寸，同時提高性能、效率和可擴展性。該芯片組還具備先進的監(jiān)控和控制功能。為解決短路測量問題，使用SCALE?-2芯片組和電阻串來動態(tài)測量IGBT的VCE，請參見圖2。這不僅意味著小的電壓尖峰不會導致短路保護誤觸發(fā)，而且還擁有其他優(yōu)勢。電阻串方法比標準二極管測量方法的成本低，并且沒有耦合電容，因此沒有影響效率的多余電容，也不受dv/dt影響。更進一步的優(yōu)勢是，可以使用一個參考管腳輕松調(diào)整短路保護的靈敏度，從而適應(yīng)特定的應(yīng)用。

高級/動態(tài)高級有源鉗位

SCALE?-2芯片組還用于實現(xiàn)復雜的有源鉗位技術(shù)，以應(yīng)對前面提到的其他IGBT失效模式——di/dt過高、dv/dt過高以及門極-發(fā)射極和集電極-發(fā)射極過壓。

基本有源鉗位（圖3中的方框AC）在關(guān)斷時可限制IGBT的VCE。IGBT會在其VCE超過預設(shè)的閾值時立即部分導通，然后維持在線性區(qū)內(nèi)工作，因此可降低集電極電流的下降速率，進而限制集電極-發(fā)射極過壓。在SCALE?-2技術(shù)中，高級有源鉗位(AAC)反饋（圖3中的方框AC和AAC）是由驅(qū)動器的副方ASIC實現(xiàn)的。只要電阻R2右側(cè)的電位因有源鉗位動作而升高，與GL相連的驅(qū)動器的推動級的關(guān)斷MOSFET就會被逐步關(guān)斷。這樣會減少從IGBT門極流出并流入COM的電荷，該電荷流經(jīng)關(guān)斷門極電阻Rg,off。這不僅能減小IGBT關(guān)斷時集電極-發(fā)射極過壓，還可降低 TVS損耗，從而提高效率。

SCALE-2驅(qū)動器中還實現(xiàn)了dv/dt反饋功能（圖3中的 dv/dt feedback）。其作用是，在正常開關(guān)工作中實現(xiàn)非常有效的關(guān)斷過壓限制，而不會造成TVS熱過載。在集電極-發(fā)射極電壓升高時，由產(chǎn)生的電流會流入與TVS并聯(lián)的dv/dt反饋電容。該電流將進一步為高級有源鉗位提供支持，因為它流入同一個驅(qū)動器端子，但會早于高級有源鉗位的TVS動作。通過采用這種額外的驅(qū)動方法，VCE電壓的鉗位變得更有效，TVS損耗更低。如果設(shè)置正確，IGBT可以在此操作模式下連續(xù)工作。因此，可以在更大的直流母線雜散電感下開關(guān)IGBT模塊，而不會超出IGBT的反向偏置安全工作區(qū)(RBSOA)。并且，不需要使用吸收電容。

Power Integrations已將鉗位技術(shù)提升到了新的水平：動態(tài)高級有源鉗位(DA2C)增加了額外的TVS二極管（圖3中的方框DA2C），與高級有源鉗位中使用的TVS串聯(lián)。從IGBT導通開始，到IGBT發(fā)出關(guān)斷指令后的大約15-20us內(nèi)，輔助IGBT Q0都處于打開狀態(tài)，將這個額外的TVS短接，以降低有源鉗位的門檻值，確保獲得高效的有源鉗位（在IGBT關(guān)斷過程中額外的TVS不工作）。在經(jīng)過該15-20us的延遲時間后，輔助IGBT Q0關(guān)斷，這個加裝的TVS被激活，驅(qū)動器的有源鉗位的門檻值被提高，這樣可以允許直流母線電壓在IGBT關(guān)斷期間上升到更高的值。這意味著，緊急停機后變換器系統(tǒng)的輸出電感會消磁，但無需擔心不可避免的直流母線電壓短時升高所造成的影響。

軟關(guān)斷

AAC和DA2C都適合具有高換流雜散電感的應(yīng)用，這些應(yīng)用要求控制IGBT關(guān)斷時的di/dt，確保IGBT能夠在反向偏置安全工作區(qū)(RBSOA)內(nèi)工作。但對于有些應(yīng)用，例如具有低換流雜散電感和IGBT關(guān)斷過沖處于RBSOA內(nèi)的應(yīng)用，更為簡單的選項是軟關(guān)斷(SSD)，因為它具有不需要TVS二極管執(zhí)行有源鉗位的優(yōu)勢。軟關(guān)斷(SSD)會在檢測到短路后激活。它保護半導體免遭損壞的實現(xiàn)方式是，通過限制短路持續(xù)時間和電流斜率，從而使瞬時VCE始終低于VCES（半導體的阻斷電壓能力）。

VCE退飽和在P1時間（綠線）內(nèi)可見，由于采用軌到軌輸出技術(shù)，VGE（門極-發(fā)射極電壓，粉色線）始終非常穩(wěn)定。經(jīng)過P1（約5 μs）后，VGE在特定時間(tFSSD)內(nèi)被限定到較低值。在tFSSD期間，IC（短路電流）被限制，最初會出現(xiàn)較小的VCE過壓。在P3期間，半導體的門極進一步放電。在放電過程即將完成時，門極會連接到COM，VGE迅速下降到關(guān)斷負電壓，剩余的門極電荷被移除，短路電流被切斷，然后再次出現(xiàn)較小的VCE過壓。整個短路檢測和安全關(guān)斷時間不到10 μs。Power Integrations通過新版SCALE-2技術(shù)SCALE-2+做到了這一點，該技術(shù)可實現(xiàn)AAC/DA2C或SSD功能。

集成

Power Integrations的SCALE?-2芯片組是本文所述的所有IGBT保護機制的核心所在，該芯片組可在驅(qū)動和控制IGBT模塊以及監(jiān)控其性能的同時實現(xiàn)這些功能。該芯片組可省去大量的其他解決方案需要用來實現(xiàn)這些功能的無源和有源元件。采用這種芯片組，驅(qū)動器不僅能提供更多的功能，而且還能提高可靠性并減小尺寸。