寄生電源：

從電源的框圖中可以看出，電路從DQ和VDD為高電平時(shí)“偷取”能量，當(dāng)特定的時(shí)間和電壓適合時(shí)，DQ可以給電路提供充足的能量。寄生電源的優(yōu)勢(shì)有二：無需提供遙遠(yuǎn)的電源；在缺少正常供電時(shí)，可以讀取ROM.為了使芯片能夠精確的對(duì)溫度進(jìn)行轉(zhuǎn)換，當(dāng)轉(zhuǎn)換溫度時(shí)確保供電充足。值得重視的是，如果運(yùn)行電流到達(dá)1.5mA，由于5K的上拉電阻，DQ不能得到足夠的能量，這對(duì)單總線上連接多個(gè)芯片同時(shí)進(jìn)行轉(zhuǎn)換是很不利的。這里有兩種方法確保溫度轉(zhuǎn)換時(shí)有足夠的能量，第一種方法是無論什么時(shí)候轉(zhuǎn)換溫度或者從EEPROM拷貝數(shù)據(jù)給DQ提供一個(gè)強(qiáng)上拉電阻,這種方法可以通過使用一個(gè)場效應(yīng)管上拉DQ線直接提供能量，如下圖所示：  

在這里值得注意的是DQ線必須在發(fā)出命令10us內(nèi)完成上拉操作，當(dāng)使用這種模式的時(shí)候，確保VDD接地。

        另外一種提供電流的方式是通過使用VDD引腳連接一個(gè)外部電源，如下圖所示，這樣連接的優(yōu)勢(shì)是DQ上不需要連接一個(gè)強(qiáng)上拉，并且總線控制主機(jī)不需要在溫度轉(zhuǎn)換的時(shí)候總保持高電平，這樣使得在轉(zhuǎn)換的時(shí)間內(nèi)單線上可以有其他的數(shù)據(jù)通過。此外，任何DS18B20的序列都可以掛在單線上，如果都需要使用外部電源，可以同時(shí)通過執(zhí)行“跳過ROM”和執(zhí)行溫度轉(zhuǎn)換命令來進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換，注意當(dāng)外部電源激活時(shí)，GND必須接地。

       在溫度達(dá)到100度時(shí)，寄生電源的方式不推薦使用，因?yàn)樘峁┻^高的漏電電流使得正常通信不能維持。應(yīng)用這種高溫時(shí)強(qiáng)烈推薦VDD連接DS18B20。

       環(huán)境有時(shí)候不知道控制主機(jī)知道哪里DS18B20芯片使用了寄生電源或者使用外部的VDD，這里可以通過電源信號(hào)來實(shí)現(xiàn)，也是就總線控制主機(jī)通過發(fā)送“跳過ROM”命令，然后發(fā)送讀取的命令，然后讀取時(shí)間點(diǎn)，此時(shí)如果芯片發(fā)送“0”回總線表示使用的是寄生電源方式，發(fā)送“1”表示通過VDD提供能量，如果主機(jī)收到“0”就知道必須在轉(zhuǎn)換溫度時(shí)給DQ提供強(qiáng)上拉，其他的存儲(chǔ)器控制命令可以參看命令協(xié)議中詳情。

操作：溫度測量

       DS18B20的核心功能是指示數(shù)字的溫度傳感器，其方案可以由用戶設(shè)置（9，10，11，12位），默認(rèn)情況使用12位。這相當(dāng)于現(xiàn)實(shí)不同的精度。通過溫度轉(zhuǎn)換命令執(zhí)行操作后溫度數(shù)據(jù)被保存在16位高速緩存中，信號(hào)分為兩種不同的格式保存，通過執(zhí)行讀緩存的命令返回采集到的溫度。傳送時(shí)最低有效位LSB優(yōu)先，最高加權(quán)位包含了標(biāo)識(shí)溫度正負(fù)的“s”位。

左邊的圖描述了輸出數(shù)據(jù)的格式，在這里使用12bit，如果想設(shè)置為更低位解決方案，可以在空位處補(bǔ)零。如果采用華氏溫度顯示，則需要查找表或者是查找路徑。

操作：警示信號(hào)

溫度轉(zhuǎn)換完成后，溫度將和TH與TL進(jìn)行比較，如果不在這個(gè)范圍之內(nèi)則會(huì)返回一個(gè)警示標(biāo)志。允許多芯片同時(shí)并行驚醒溫度測量，如果某處芯片超出了此范圍，此芯片可以被辨別出并立即讀取沒有別警示的芯片。

64位激光ROM:

每一片芯片提供了一個(gè)特定的系列號(hào)，前8位為DS18B20的家族系列，后面48位表征不同的芯片系列。在通過單線對(duì)芯片進(jìn)行配置后，放可以執(zhí)行下面的操作。