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半導(dǎo)體二極管的開(kāi)關(guān)特性

作者:佚名    文章來(lái)源:本站原創(chuàng)    點(diǎn)擊數(shù):    更新時(shí)間:2016/11/3

因?yàn)榘雽?dǎo)體二極管具有單向?qū)щ娦,所以它相?dāng)于一個(gè)受外加電壓極性控制的開(kāi)關(guān)。

(a) 開(kāi)關(guān)電路 (b)輸入高電平時(shí)的等效電路 (c)輸入低電平時(shí)的等效電路

圖1 二極管靜態(tài)開(kāi)關(guān)電路及其等效電路

二極管動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性。在高速開(kāi)關(guān)電路中,需要了解二極管導(dǎo)通與截止間的快速轉(zhuǎn)換過(guò)程。

(a) 電路圖 (b) 輸入脈沖電壓波形 (c) 實(shí)際電路波形

圖2 二極管的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性

 當(dāng)輸入電壓UI 由正值U F 躍變?yōu)樨?fù)值U R 的瞬間,VD 并不能立刻截止,而是在外加反向電壓 UR作用下,產(chǎn)生了很大的反向電流IR ,這時(shí) iD=I R≈- U R/R,經(jīng)一段時(shí)間 t rr后,二極管 VD 才進(jìn)人截止?fàn)顟B(tài),如圖2.(c) 所示。通常將t r r 稱(chēng)作反向恢復(fù)時(shí)間。

 產(chǎn)生 t rr的主要原因是由于二極管在正向?qū)〞r(shí),P區(qū)的多數(shù)載流子空穴大量流入 N區(qū),N區(qū)的多數(shù)載流子電子大量流入 P區(qū),在P區(qū)和 N區(qū)中分別存儲(chǔ)了大量的電子和空穴,統(tǒng)稱(chēng)為存儲(chǔ)電荷。當(dāng) UI 由UF 躍變?yōu)樨?fù)值 UR時(shí),上述存儲(chǔ)電荷不會(huì)立刻消失,在反向電壓的作用下形成了較大的反向電流 IR,隨著存儲(chǔ)電荷的不斷消散,反向電流也隨之減少,最終二極管轉(zhuǎn)為截止。當(dāng)二極管由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通時(shí),在P區(qū)和 N區(qū)中積累電荷所需的時(shí)間遠(yuǎn)比 t r r 小得多,故可以忽略。

Tags:半導(dǎo)體二極管,開(kāi)關(guān)特性  
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