一、單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)和等效電路

單結(jié)晶體管的外形很象晶體三極管，它也有三個電極，稱為發(fā)射極e，第一基極b₁，第二基極b₂，又叫雙基極二極管。因?yàn)橹挥幸粋�PN結(jié)所以又稱為單結(jié)晶體管。外形及符號如圖(a)、(b)所示。圖中發(fā)射極箭頭指向b₁，表示經(jīng)PN結(jié)的電流只流向b₁極。單結(jié)管的等效電路如圖(C)所示，r_b1表示e與b₁之間的等效電阻，它的阻值受e-b₁間電壓的控制，所以等效為可變電阻。兩個基極之間的電阻用R_bb表示，即：R_bb=R_b1+R_b2，R_b1與R_bb的比值稱為分壓比h=R_b1/R_bb，h一般在0.3～0.8之間。

二、工作原理和特性曲線  

伏安特性變化如圖所示。

★圖中，當(dāng)V_BB固定，等效電路中，A點(diǎn)對b₁的電壓U_A=hV_BB為定值。當(dāng)U_e較小時，U_e<U_A，PN結(jié)反偏，此時只有很小的反向漏電流I_EO（幾微安）如圖中曲線“1”段。
★當(dāng)U_e增大，U_e=U_A時，PN結(jié)處于零偏，i_E=0。
★U_e繼續(xù)增大，當(dāng)U_e>U_A，i_E開始大于零，由于硅二極管的正向壓降為0.7V，所以i_E不會有顯著的增加，這個電壓稱為峰值電壓U_P，對應(yīng)電流稱為峰值電流I_P。這一區(qū)域稱為截止區(qū)。

★U_e繼續(xù)增加，U_e>U_A，管子轉(zhuǎn)向?qū)�通，PN結(jié)電流開始顯著增加，這時將有大量的空穴進(jìn)入基區(qū)，e、b₁間載流子大量增加，使r_b1迅速減小，而r_b1的減小又使U_A降低，導(dǎo)致i_E又進(jìn)一步加大，這種正反饋的過程，使i_E急劇增加U_A下降，單結(jié)管呈現(xiàn)了負(fù)阻特性，圖中曲線“2”線段，到了“C”點(diǎn)負(fù)阻特性結(jié)束，C點(diǎn)電壓U_V稱為谷點(diǎn)電壓，一般為1～2.5V，對應(yīng)的電流稱為谷點(diǎn)電流Iv，一般為幾毫安。
★過了谷點(diǎn)之后，繼續(xù)增加U_e，i_E～U_e曲線形狀接近二極管導(dǎo)通時的正向特性曲線。如曲線“3”線段，此時稱為飽和區(qū)。飽和壓降一般小于4～5V。
★當(dāng)改變V_BB電壓，改變了閥值電壓U_A，曲線的峰點(diǎn)電壓也隨之改變。
 

　　三、應(yīng)用舉例

振蕩：指在沒有輸入信號的情況下，電路輸出一定頻率、一定幅值的電壓或電流信號。

如圖所示為單結(jié)晶體管組成的振蕩電路，其工作原理如下：

★當(dāng)合閘通電時，電容C上的電壓為零，管子截止，電源V_BB通過電阻R對C充電，隨時間增長電容上電壓 (即 )逐漸增大；

★一旦 增大到峰點(diǎn)電壓U_P后，管子進(jìn)入負(fù)阻區(qū)，輸入端等效電阻急劇減小，使C通過管子的輸入回路迅速放電， 兩端電壓隨之減小，一旦 減小到谷點(diǎn)電壓U_V后，管子截止；
★電容又開始充電，重復(fù)上述過程。
由于充電時間常數(shù)遠(yuǎn)大于放電時間常數(shù)，當(dāng)穩(wěn)定振蕩時，電容上電壓的波形如圖所示。