單結(jié)晶體管（UJT）又稱基極二極管，下面是早期國產(chǎn)單結(jié)晶體管BT32參數(shù)，它分為A~H共8個具體型號。

BT32A參數(shù)

分壓比（η）：0.3~0.55
基極間電阻（R_BB）：3~6kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調(diào)制電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32B參數(shù)

分壓比（η）：0.3~0.55
基極間電阻（R_BB）：5~10kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調(diào)制電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32C參數(shù)

分壓比（η）：0.45~0.75
基極間電阻（R_BB）：3~6kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調(diào)制電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32D參數(shù)

分壓比（η）：0.45~0.75
基極間電阻（R_BB）：5~10kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調(diào)制電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32E參數(shù)

分壓比（η）：0.65~0.85
基極間電阻（R_BB）：3~6kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調(diào)制電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32F參數(shù)

分壓比（η）：0.65~0.85
基極間電阻（R_BB）：5~10kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調(diào)制電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32G參數(shù)

分壓比（η）：0.55~0.75
基極間電阻（R_BB）：10~15kΩ
E對B1間反向電壓：≥60V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調(diào)制電流：9~35mA
耗散功率：300mW

BT32H參數(shù)

分壓比（η）：0.55~0.75
基極間電阻（R_BB）：5~10kΩ
E對B1間反向電壓：≥40V
反向電流：≤1μA
峰值電流：≤2μA
飽和壓降：≤4.5V
調(diào)制電流：9~35mA
耗散功率：300mW

測試條件

基極間電阻：U_BB=20V；I_E=0
E對B1間反向電壓：I_EO=1μA
反向電流：U_EBO=60V
峰值電流：U_BB=20V
飽和壓降：U_BB=20V；I_E=50mA
調(diào)制電流：U_BB=20V；I_E=50mA