MOS管主要參數(shù)：

1.開啟電壓V_T
　　·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
　　·標準的N溝道MOS管，V_T約為3～6V；
　　·通過工藝上的改進，可以使MOS管的V_T值降到2～3V。

2. 直流輸入電阻R_GS
　　·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
　　·這一特性有時以流過柵極的柵流表示
　　·MOS管的R_GS可以很容易地超過1010Ω。

3. 漏源擊穿電壓BV_DS
　　·在V_GS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使I_D開始劇增時的V_DS稱為漏源擊穿電壓BV_DS
　　·I_D劇增的原因有下列兩個方面：
　　（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
　　（2）漏源極間的穿通擊穿
　　·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加V_DS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后
，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)，產(chǎn)生大的I_D

4. 柵源擊穿電壓BV_GS
　　·在增加柵源電壓過程中，使柵極電流I_G由零開始劇增時的V_GS，稱為柵源擊穿電壓BV_GS。

5. 低頻跨導g_m
　　·在V_DS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導
　　·g_m反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力
　　·是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)
　　·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6. 導通電阻R_ON
　　·導通電阻R_ON說明了V_DS對I_D的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)
　　·在飽和區(qū)，I_D幾乎不隨V_DS改變，R_ON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
　　·由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導通時經(jīng)常工作在V_DS=0的狀態(tài)下，所以這時的導通電阻R_ON可用原點的R_ON來近似
　　·對一般的MOS管而言，R_ON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7. 極間電容
　　·三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容C_GS 、柵漏電容C_GD和漏源電容CDS
　　·C_GS和C_GD約為1～3pF
　　·C_DS約在0.1～1pF之間

8. 低頻噪聲系數(shù)NF
　　·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性所引起的
　　·由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸　　　出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
　　·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB）
　　·這個數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
　　·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)
　　·場效應管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小