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本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

作者:佚名    文章來(lái)源:本站原創(chuàng)    點(diǎn)擊數(shù):    更新時(shí)間:2016/10/11
    按導(dǎo)電性能分,可分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱(chēng)為導(dǎo)體,金屬一般都是導(dǎo)體。有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電,稱(chēng)為絕緣體,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。有另一類(lèi)物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間,稱(chēng)為半導(dǎo)體,如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。
1、本征半導(dǎo)體
   實(shí)際應(yīng)用最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們?cè)拥淖钔鈱与娮樱▋r(jià)電子)都是四個(gè)。完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體,稱(chēng)為本征半導(dǎo)體(晶體結(jié)構(gòu))。
(1)硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)
   在硅和鍺晶體中,原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣,每個(gè)原子都處在正四面體的中心,而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn),每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成共價(jià)鍵,共用一對(duì)價(jià)電子。
硅和鍺的具體結(jié)構(gòu),硅的原子結(jié)構(gòu) 
圖1 硅和鍺的具體結(jié)構(gòu)
(2)本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理
  (a)在絕對(duì)0度和沒(méi)有外界激發(fā)時(shí),價(jià)電子被共價(jià)鍵束縛,本征半導(dǎo)體中沒(méi)有可以運(yùn)動(dòng)的帶電粒子(即載流子),不導(dǎo)電,相當(dāng)于絕緣體。
  (b)在常溫下,由于熱激發(fā),使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛,成為自由電子,同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位,稱(chēng)為空穴。即出現(xiàn)電子-空穴對(duì)。溫度越高,本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng),溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個(gè)重要的外部因素,這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。
(3)本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理
   在電場(chǎng)力作用下,空穴吸引臨近的電子來(lái)填補(bǔ),這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移,而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動(dòng),因此認(rèn)為空穴也是載流子,是帶正電的粒子。
   在半導(dǎo)體外加電壓的作用下,出現(xiàn)兩部分電流:自由電子定向移動(dòng)、空穴的遷移。
   本征半導(dǎo)體中由于電子-空穴數(shù)量極少,導(dǎo)電能力極低。實(shí)用時(shí)采用雜質(zhì)半導(dǎo)體(P型、N型)。
2、雜質(zhì)半導(dǎo)體
   在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì),就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。
   使自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為N型半導(dǎo)體,使空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為P型半導(dǎo)體。
   N型半導(dǎo)體:摻入微量5價(jià)元素(磷)  多子:電子  少子:空穴
   P型半導(dǎo)體:摻入微量3價(jià)元素(硼)  多子:空穴  少子:電子
半導(dǎo)體的導(dǎo)電特點(diǎn):
  (1)當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí),它的導(dǎo)電能力明顯變化。
  (2)往純凈的半導(dǎo)體中摻雜,會(huì)使它的導(dǎo)電能力急劇增加。
Tags:本征半導(dǎo)體,雜質(zhì)半導(dǎo)體,半導(dǎo)體,導(dǎo)電特性  
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