三極管靠電流控制，MOS管靠電壓控制，就像三極管聽爸媽的話，MOS管聽老師的話。

mos管是一個四端器件，具有源極 (S)、漏極 (D) 和柵極端子 (G) 和體 (B) 端子。主體經常連接到源端子，將端子減少到三個。它通過改變電荷載流子（電子或空穴）流動的通道寬度來工作。

IGBT的工作原理是通過柵極電壓控制集電極與發射極之間的導通與關斷，實現高效的電能轉換與開關控制。

‌IGBT模塊與MOS管的主要區別在于其結構、應用場景、電壓和電流處理能力以及開關速度等方面。‌

igbt模塊與mos的區別結構差異
IGBT模塊的結構是NPN型MOSFET增加一個P結，即NPNP結構，利用電導調制作用，使得IGBT在高壓和大電流下具有很低的壓降。而MOS管則是通過柵極電壓控制漏極電流的通斷，其結構相對簡單。‌