（2）本征半導體的導電機理
  （a）在絕對0度和沒有外界激發(fā)時,價電子被共價鍵束縛，本征半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即載流子），不導電，相當于絕緣體。
  （b）在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自由電子，同時共價鍵上留下一個空位，稱為空穴。即出現(xiàn)電子-空穴對。溫度越高，本征半導體的導電能力越強，溫度是影響半導體性能的一個重要的外部因素，這是半導體的一大特點。
（3）本征半導體的導電機理
   在電場力作用下，空穴吸引臨近的電子來填補，這樣的結果相當于空穴的遷移，而空穴的遷移相當于正電荷的移動，因此認為空穴也是載流子，是帶正電的粒子。
   在半導體外加電壓的作用下，出現(xiàn)兩部分電流:自由電子定向移動、空穴的遷移。
   本征半導體中由于電子-空穴數量極少，導電能力極低。實用時采用雜質半導體（P型、N型）。

2、雜質半導體
   在本征半導體中摻入某些微量的雜質，就會使半導體的導電性能發(fā)生顯著變化。
   使自由電子濃度大大增加的雜質半導體稱為N型半導體，使空穴濃度大大增加的雜質半導體稱為P型半導體。
   N型半導體：摻入微量5價元素（磷）  多子：電子  少子：空穴
   P型半導體：摻入微量3價元素（硼）  多子：空穴  少子：電子
半導體的導電特點：
  （1）當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化。
  （2）往純凈的半導體中摻雜，會使它的導電能力急劇增加。