1、霍爾效應

　　置于磁場中的靜止載流導體，當它的電流方向與磁場方向不一致時，載流導體上平行于電流和磁場方向上的兩個面之間產(chǎn)生電動勢，這種現(xiàn)象稱霍爾效應。該電勢稱霍爾電勢。

　　霍爾效應演示：

　　當磁場垂直于薄片時，電子受到洛侖茲力的作用，向內(nèi)側偏移，在半導體薄片c、d方向的端面之間建立起霍爾電勢。

2、霍爾元件材料

　　1）由RH=μρ，霍爾常數(shù)RH要大，即要求μρ 大；

　　2）金屬材料載流子遷移率很高，但電阻率很小；

　　3）絕緣材料電阻率極高，但載流子遷移率極低；

　　4）故只有半導體材料才適于制造霍爾片；

　　5）常用材料：鍺、硅、砷化銦、銻化銦。

3、霍爾元件基本結構

　　外形結構：　　　　　　　　　　　　　　　圖形符號：

　　殼體是用非導磁金屬、 陶瓷或環(huán)氧樹脂封裝

4、霍爾元件幾個主要參數(shù)

　　霍爾常數(shù)RH ：RH = μρ

　　霍爾靈敏系數(shù)KH ：KH = RH /d

　　輸入電阻：激勵電極間的電阻值稱為輸入電阻。

　　輸出電阻：霍爾電極輸出電勢對電路外部來說相當于一個電壓源，其電源內(nèi)阻即為輸出電阻

　　額定激勵電流：霍爾元件溫升10℃時流過的激勵電流．

　　措施：改善散熱條件，可以使激勵電流增加。