磁敏電阻器(簡(jiǎn)稱(chēng)磁阻)元件是利用電流磁效應(yīng)制成的傳感器，使用的材料有半導(dǎo)體和強(qiáng)磁性金屬，半導(dǎo)體材料有Insb和GaAs等，強(qiáng)磁性金屬有Ni—Fe和Ni-Co等，它們的磁場(chǎng)都非常微弱，不能單獨(dú)使用，要與偏置磁鐵及高增益放大器組合使用。
不同材料的磁阻元件其特性差異較大，對(duì)于半導(dǎo)體磁阻元件，若外加磁場(chǎng)，則磁阻元件內(nèi)部電阻增大，對(duì)磁場(chǎng)表現(xiàn)為正磁性；對(duì)于強(qiáng)磁性金屬磁阻元件，特性正好相反，外加磁場(chǎng)時(shí)其內(nèi)部電阻減小，表現(xiàn)為負(fù)磁性。 圖2—43為磁阻元件的結(jié)構(gòu)，
圖2—43a是單個(gè)磁阻元件的結(jié)構(gòu)，它是在偏置磁鐵的表面上形成磁阻元件的結(jié)構(gòu)，偏置磁鐵要采用稀土族那類(lèi)小形而磁能積高的磁鐵。圖2—43b為復(fù)合型結(jié)構(gòu)，有兩個(gè)磁阻元件在同一平面上形成，因而改善了其溫度特性。一般做成差動(dòng)式使用。

磁敏電阻器的原理

磁敏電阻器是利用磁阻效應(yīng)制成的，其阻值會(huì)隨穿過(guò)它的磁通量密度的變化而變化。

半導(dǎo)體磁阻元件在弱磁場(chǎng)中的電阻率p與磁感應(yīng)強(qiáng)度B之間有如下的關(guān)系：

當(dāng)半導(dǎo)體材料確定時(shí)，磁敏電阻器的阻值與磁感應(yīng)強(qiáng)度呈平方關(guān)系。上式僅適用于弱磁場(chǎng)，在強(qiáng)磁場(chǎng)下，磁敏電阻器的阻值與磁感應(yīng)強(qiáng)度呈線(xiàn)性關(guān)系。

磁敏電阻器多采用銻化鋼(InSb)半導(dǎo)體材料制造。它主要用于測(cè)定磁場(chǎng)強(qiáng)度、測(cè)量頻率和功率等的測(cè)量技術(shù)，運(yùn)算技術(shù)，自動(dòng)控制技術(shù)以及信息處理技術(shù)，并可用于制作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)和可變?cè)�接觸電位器等。 

折疊磁敏電阻器參數(shù)

1）磁阻比：指在某一規(guī)定的磁感應(yīng)強(qiáng)度下，磁敏電阻器的阻值與零磁感應(yīng)強(qiáng)度下的阻值之比。

2）磁阻系數(shù)：指在某一規(guī)定的磁感應(yīng)強(qiáng)度下，磁敏電阻器的阻值與其標(biāo)稱(chēng)阻值之比。

3）磁阻靈敏度：指在某一規(guī)定的磁感應(yīng)強(qiáng)度下，磁敏電阻器的電阻值隨磁感應(yīng)強(qiáng)度的相對(duì)變化率。

折疊磁敏電阻器應(yīng)用

一般用于磁場(chǎng)強(qiáng)度、漏磁、制磁的檢測(cè)；在交流變換器、頻率變換器、功率電壓變換器、位移電壓變換器、等電路中作控制元件；還可用于接近開(kāi)關(guān)、磁卡文字識(shí)別、磁電編碼器、電動(dòng)機(jī)測(cè)速等方面或制作磁敏傳感器用。